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MUBW 25-12 T7
Output Inverter T1 - T6
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
V CES
V GES
I C25
I C80
I CM
T VJ = 25°C to 150°C
Continuous
T C = 25°C
T C = 80°C
T C = 80°C; t p = 1 ms
1200
± 20
45
25
50
V
V
A
A
A
P tot
T C = 25°C
170
W
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
T1-T6
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
T7
V 0 = 0.92 V; R 0 = 42.8 m ?
V 0 = 0.92 V; R 0 = 72 m ?
V CE(sat)
I C = 25 A; V GE = 15 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
1.7
2.0
2.15
V
V
Diode (typ. at T J = 125°C)
D1-D6
V GE(th)
I C = 1 mA; V GE = V CE
5
5.8
6.5
V
V 0 = tbd V; R 0 = tbd m ?
I CES
V CE = V CES ; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
0.7
2.7
mA
mA
D7
V 0 = tbd V; R 0 = tbd m ?
I GES
C ies
Q Gon
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
RBSOA
I SC
(SCSOA)
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = 1 MHz
V CE = 600 V; V GE = 15 V; I C = 25 A
Inductive load, T VJ = 125°C
V CE = 600 V; I C = 25 A
V GE = ±15 V; R G = 36 ?
I C = I CM ; V GE = ±15 V
R G = 36 ? ; T VJ = 125°C
V CE = 720 V; V GE = ±15 V; R G = 36 ? ;
t p < 10 μs; non-repetitive; T VJ = 125°C
400
1.8
240
90
50
520
90
2.5
3.4
V CEK < V CES - L S di/dt
100
nA
nF
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
V
A
D11-D16
V 0 = tbd V; R 0 = tbd m ?
Thermal Response
IGBT (typ.)
T1-T6
C th1 = tbd J/K; R th1 = tbd K/W
C th2 = tbd J/K; R th2 = tbd K/W
R thJC
(per IGBT)
0.73 K/W
T7
C th1 = tbd J/K; R th1 = tbd K/W
C th2 = tbd J/K; R th2 = tbd K/W
Output Inverter D1 - D6
Diode (typ.)
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
D1-D6
C th1 = tbd J/K; R th1 = tbd K/W
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
25
17
A
A
D7
C th2 = tbd J/K; R th2 = tbd K/W
C th1 = tbd J/K; R th1 = tbd K/W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
C th2 = tbd J/K; R th2 = tbd K/W
min.
typ.
max.
D11-D16
C th1 = tbd J/K; R th1 = tbd K/W
V F
I F = 25 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
2.1
2.6
V
C th2 = tbd J/K; R th2 = tbd K/W
I RM
T VJ = 125°C
1.6
tbd
V
A
Q rr
t rr
I F = tbd A; di F /dt = -tbd A/μs; T VJ = 125°C
V R = 600 V; V GE = 0 V
tbd
tbd
μC
ns
E rec
R thJC
(per diode)
tbd
mJ
2.1 K/W
? 2006 IXYS All rights reserved
2-4
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